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DMN55D0UT
0.8
0.5
0.7
0.6
V GS = 10V
V GS = 4.5V
0.4
V DS = 10V
T A = 85°C
T A = 25°C
0.5
0.4
0.3
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
0.3
0.2
T A = -55°C
T A = 150°C
T A = 125°C
0.2
0.1
0.1
V GS = 1.5V
0
V GS = 1.0V
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
1 2 3
4
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
10
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
V GS = 2.5V
T A = 25°C
V GS = 4.0V
T A = -55°C
1
1
0.001
0.01 0.1
1
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
2.0
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
35
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
V GS = 4V
I D = 100mA
V GS = 2.5V
I D = 80mA
25
20
15
C iss
f = 1MHz
V GS = 0V
1.0
0.8
10
0.6
0.4
5
0
C oss
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10 15 20 25 30 35
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMN55D0UT
Document number: DS31330 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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